КТ815Б

КТ815, КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г

Кремниевый транзистор большой мощности для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ815АКТ815БКТ815ВКТ815Г
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<3 А
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<40 В<50 В<70 В<100 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<30 В<45 В<65 В<85 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
40 ~ 27540 ~ 27540 ~ 27530 ~ 275
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<50 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<3 МГц
Коэффициент шума
NF
<600 мдБ
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<10 Вт