На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | КТ8116А | КТ8116Б | КТ8116В | |
|---|---|---|---|---|
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <16 А | ||
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UCBO | <100 В | <80 В | <60 В |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <100 В | <80 В | <60 В |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >1000 | ||
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | <10 мкА | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <7 МГц | ||
Коэффициент шума | NF | <2 дБ | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом | PC-HS | <65 Вт | ||