КТ8114Б

КТ8114, КТ8114А, КТ8114Б, КТ8114В

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ8114АКТ8114БКТ8114В
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<15 А
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<1.5 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<700 В
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
(не задано)(не задано)>6
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<100 мкА<100 мкА<5.1 мА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<7 МГц
Коэффициент шума
NF
<1 дБ<5 дБ<2.5 дБ
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<125 Вт