КТ8111Б

КТ8111, КТ8111А, КТ8111Б, КТ8111В

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ8111АКТ8111БКТ8111В
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<100 В<80 В<60 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В<40 В<30 В
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
750 ~ 18000
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<2 мА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<10 МГц
Коэффициент шума
NF
<2 дБ
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<125 Вт