КТ8110

КТ8110, КТ8110А, КТ8110Б, КТ8110В

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ8110АКТ8110БКТ8110В
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<14 А
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<500 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<450 В
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
15 ~ 30>15>15
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<2 мА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<20 МГц
Коэффициент шума
NF
<800 мдБ
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<60 Вт