Кремниевые планарные N-P-N мощные высоковольтные переключательные транзисторы КТ8107 предназначены для работы в схемах строчной развертки телевизионных приемников и других схемах аппаратуры широкого применения.
КT8107A, КT8107Б, КТ8107B, КT8107Г, КT8107A1, КТ810751, КТ8107B1, КТ8107Г1 выпускаются в пластмассовом корпусе. КТ8107А2, КТ8107Б2, КТ8107В2, КТ8107Г2 выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Медь: 3г в металлическом кропусе; 3,16 г в пластмассовом.
Параметр | КТ8107А | КТ8107Б | КТ8107В | |
---|---|---|---|---|
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <15 А | <7.5 А | <8 А |
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UCBO | <1.5 кВ | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <700 В | <700 В | <600 В |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >2.25 | >2.25 | 8 ~ 12 |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | <1 мА | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <7 МГц | ||
Коэффициент шума | NF | <1 дБ | <1 дБ | <5 дБ |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом | PC-HS | <100 Вт | <125 Вт | <50 Вт |