КТ809А

КТ809, КТ809А

Кремниевый транзистор большой мощности для работы в ключевых и импульсных схемах

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ809А
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<5 А
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<400 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<400 В
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
15 ~ 100
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<3 мА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<5.1 МГц
Коэффициент шума
NF
<1.5 дБ
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<40 Вт