КТ808А

КТ808, КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ

Кремниевый транзистор большой мощности для работы в ключевых схемах, генераторов строчной развертки, электронных регуляторов напряжения

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ808АКТ808АМКТ808БМКТ808ВМКТ808ГМ
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<120 В<120 В<100 В<80 В<70 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<120 В<120 В<100 В<80 В<70 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<5 Вт(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
10 ~ 5020 ~ 12520 ~ 12520 ~ 12520 ~ 125
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<3 мА<2 мА<2 мА<2 мА<2 мА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<7.2 МГц<8 МГц<8 МГц<8 МГц<8 МГц
Коэффициент шума
NF
<2.5 дБ
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Импульсное напряжение коллектор-база
UCBO-i
<250 В<250 В<160 В<135 В<80 В
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<50 Вт<60 Вт<60 Вт<60 Вт<60 Вт
Импульсное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы
UCEO-i
<250 В<250 В<160 В<135 В<80 В