КТ807

КТ807, КТ807А, КТ807Б

Кремниевый транзистор большой мощности для генераторов кадровой и строчной разверток, усилителей низкой частоты, источников питания

Документы

Описание

Чертеж корпуса и схема расположения выводов КТ807​

Содержание драгоценных и цветных металлов

Золото: 0,1122 мг или 0,0326 мг или 0,076 мг

Параметры

ПараметрКТ807АКТ807Б
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<1.5 А
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<100 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<100 В
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
15 ~ 4530 ~ 100
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<5 мА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<5 МГц
Коэффициент шума
NF
<1 дБ
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<10 Вт