Доход от майнинга

КТ801

КТ801, КТ801А, КТ801Б

Кремниевый транзистор большой мощности для работы в схемах кадровой и строчной разверток, в источниках питания

Документы

Описание

Транзистор кремниевый P-N-P КТ801А.

Чертеж корпуса и схема расположения выводов КТ801​ Фотография транзистора КТ801А​

Содержание драгоценных металлов

Серебро: 16,4197 мг

Параметры

ПараметрКТ801АКТ801Б
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<80 В<60 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<80 В<60 В
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
15 ~ 5030 ~ 150
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<10 мА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<10 МГц
Коэффициент шума
NF
<2 дБ
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<5 Вт