На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2Т716АГ | 2Т716Б1 | 2Т716В1 | |
|---|---|---|---|---|
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <20 А | ||
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UCBO | <100 В | <80 В | <60 В |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <100 В | <80 В | <60 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1 Вт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >500 | >750 | >750 |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | <1 мА | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <5 МГц | ||
Коэффициент шума | NF | <2 дБ | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом | PC-HS | <30 Вт | ||