КТ686

КТ686, КТ686А, КТ686Б, КТ686В, КТ686Г, КТ686Д, КТ686Е, КТ686Ж

Высокочастотный кремниевый транзистор средней мощности для применения в предоконечных и оконечных каскадах радиочастотных схем, в усилительных схемах и для универсального применения

Документы

Описание

KТ686А, KТ686Б, KТ686В, KТ686Г, KТ686Д, KТ686Е, КТ686Ж. Кремниевые высокочастотные р-п-р транзисторы средней мощности.

  • Типовое значение граничной частоты передачи тока fГР = 100 МГц
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора РКmax = 625 мВт
  • Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭОmax=50В(КT686А,Б,В); 30В(КT686Г,Д,Е,Ж)

Тип корпуса KТ686А, KТ686Б, KТ686В, KТ686Г, KТ686Д, KТ686Е, КТ686Ж: КТ-26(ТО-92)

Схема расположения выводов (распиновка) КТ686​

Кремниевые планарно - эпитаксиальные высокочастотные р-п-р транзисторы в пластмассовом корпусе с гибкими выводами типа КТ686 могут применяться в усилительных, генераторных и переключающих устройствах аппаратуры широкого применения. Размеры кристалла 0,6 х 0,6 мм.

Маркировка

Маркировка транзисторов соответствует техническим условиям аА0.336.814 ТУ: на транзисторы наносится буквенно-цифровая маркировка с указанием только типономинала транзистора без индекса «КТ». Допускается типономинал транзистора располагать в две строки.

Параметры

ПараметрКТ686АКТ686БКТ686ВКТ686ГКТ686ДКТ686ЕКТ686Ж
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<1.5 А
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<50 В<50 В<50 В<30 В<30 В<30 В<30 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<45 В<45 В<45 В<25 В<25 В<25 В<25 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
100 ~ 250160 ~ 400250 ~ 630100 ~ 250160 ~ 400250 ~ 630100 ~ 250
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<100 нА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Коэффициент шума
NF
<700 мдБ
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<1.4 Вт