Доход от майнинга

КТ685

КТ685, КТ685А, КТ685Б, КТ685В, КТ685Г, КТ685д, КТ685Е, КТ685Ж

Высокочастотный кремниевый транзистор средней мощности для применения в усилителях и переключающих устройствах

Документы

Описание

KТ685А, KТ685Б, KТ685В, KТ685Г, KТ685Д, KТ685Е, КТ685Ж. Кремниевые высокочастотные P-N-P транзисторы средней мощности.

  • Типовое значение граничной частоты передачи тока fГР = 350 МГц (КT685Д); 250 МГц (КT685 Е,Ж); 200 МГц (КT685 А,Б,В,Г)
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора РКmax = 600 мВт
  • Максимальное постоянное напряжение коллектор-база UКБmax=60В(КT685А,Б,В,Г); 30В(КT685Д,Е,Ж)

Тип корпуса: КТ-26(ТО-92)

Схема расположения выводов (распиновка) КТ685​

Кремниевые планарно-эпитаксиальные высокочастотные р-п-р транзисторы в пластмассовом корпусе с гибкими выводами типа КТ685 могут применяться в усилительных, генераторных и переключающих устройствах аппаратуры широкого применения. Размеры кристалла 0,6 х 0,6 мм. Маркировка транзисторов соответствует техническим условиям аА0.336.810 ТУ.

Параметры

ПараметрКТ685АКТ685БКТ685ВКТ685ГКТ685дКТ685ЕКТ685Ж
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<60 В<60 В<60 В<60 В<30 В<30 В<30 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<40 В<60 В<40 В<60 В<25 В<25 В<25 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<600 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
40 ~ 12040 ~ 120100 ~ 300100 ~ 30070 ~ 20040 ~ 120100 ~ 300
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<20 нА<10 нА<20 нА<10 нА<20 нА<20 нА<20 нА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<200 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц<300 МГц<250 МГц<250 МГц
Коэффициент шума
NF
<400 мдБ<400 мдБ<400 мдБ(не задано)<300 мдБ<300 мдБ<300 мдБ
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP