КТ684

КТ684, КТ684А, КТ684Б, КТ684В

Высокочастотный кремниевый транзистор средней мощности для работы в переключающих и усилительных схемах бытовой видеотехники

Документы

Описание

KТ684А, KТ684Б, KТ684В, KТ684Г. Кремниевые усилительные р-п-р транзисторы средней мощности.

  • Типовое значение граничной частоты передачи тока fГР = 40 МГц (КT684 А,Б,В); 80 МГц (КT684 Г)
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора РКmax = 800 мВт
  • Максимальное постоянное напряжение коллектор-база UКБmax= 45В (КT684А); 60В (КT684Б)

Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92)

Схема расположения выводов (распиновка) КТ684​

Кремниевые планарно-эпитаксиальные усилительные р-п-р транзисторы в пластмассовом корпусе с гибкими выводами типа КТ684 могут применяться в усилительных, генераторных и переключающих устройствах аппаратуры широкого применения. Размеры кристалла 0,5 х 0,5 мм. Маркировка транзисторов соответствует техническим условиям аА0.336.810 ТУ.

Параметры

ПараметрКТ684АКТ684БКТ684В
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<45 В<60 В<100 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<45 В<60 В<100 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<800 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
40 ~ 25040 ~ 16040 ~ 160
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<100 нА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<40 МГц
Коэффициент шума
NF
<500 мдБ
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP