КТ684
КТ684, КТ684А, КТ684Б, КТ684В
Высокочастотный кремниевый транзистор средней мощности для работы в переключающих и усилительных схемах бытовой видеотехники
Документы
Описание
KТ684А, KТ684Б, KТ684В, KТ684Г. Кремниевые усилительные р-п-р транзисторы средней мощности.
- Типовое значение граничной частоты передачи тока fГР = 40 МГц (КT684 А,Б,В); 80 МГц (КT684 Г)
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора РКmax = 800 мВт
- Максимальное постоянное напряжение коллектор-база UКБmax= 45В (КT684А); 60В (КT684Б)
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92)
Схема расположения выводов (распиновка) КТ684
Кремниевые планарно-эпитаксиальные усилительные р-п-р транзисторы в пластмассовом корпусе с гибкими выводами типа КТ684 могут применяться в усилительных, генераторных и переключающих устройствах аппаратуры широкого применения. Размеры кристалла 0,5 х 0,5 мм. Маркировка транзисторов соответствует техническим условиям аА0.336.810 ТУ.
Параметры
| Параметр | КТ684А | КТ684Б | КТ684В | |
|---|---|---|---|---|
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UCBO | <45 В | <60 В | <100 В |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | <60 В | <100 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <800 мВт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 40 ~ 250 | 40 ~ 160 | 40 ~ 160 |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | <100 нА | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <40 МГц | ||
Коэффициент шума | NF | <500 мдБ | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||