КТ683

КТ683, КТ683А, КТ683Б, КТ683В, КТ683Г, КТ683Д, КТ683Е

Высокочастотный кремниевый транзистор средней мощности для работы в переключающих и усилительных схемах

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ683АКТ683БКТ683ВКТ683ГКТ683ДКТ683Е
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<2 А
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<150 В<120 В<120 В<100 В<60 В<60 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<150 В<120 В<120 В<100 В<60 В<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1.2 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
40 ~ 12080 ~ 24040 ~ 12040 ~ 12080 ~ 240160 ~ 480
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<1 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<50 МГц
Коэффициент шума
NF
<450 мдБ
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<8 Вт