КТ681А

КТ681, КТ681А

Высокочастотный кремниевый транзистор средней мощности для применения в усилителях низкой частоты

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ681А
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<2 А
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<30 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<25 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<350 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
85 ~ 300
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<10 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<120 МГц
Коэффициент шума
NF
<200 мдБ
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP