КТ668
КТ668, КТ668А, КТ668Б, КТ668В
Высокочастотный кремниевый транзистор средней мощности для низкочастотных устройств с малым уровнем шума, для генераторов и переключающих устройств
Документы
Описание
KТ668А, KТ668Б, KТ668В. Кремниевые усилительные р-п-р транзисторы средней мощности.
- Типовое значение граничной частоты передачи тока fГР = 200 МГц
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора РКmax = 500 мВт
- Максимальное постоянное напряжение коллектор-база UКБmax=50В
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92)
Схема расположения выводов (распиновка) КТ668
Кремниевые планарно-эпитаксиальные усилительные р-п-р транзисторы с нормированным коффициентом шума в пластмассовом корпусе с гибкими выводами типа КТ668 могут применяться в усилительных, генераторных и переключающих устройствах аппаратуры широкого применения. Маркировка транзисторов соответствует техническим условиям аА0.336.717 ТУ. Размеры кристалла 0,5 х 0,5 мм.
Параметры
| Параметр | КТ668А | КТ668Б | КТ668В | |
|---|---|---|---|---|
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <200 мА | ||
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UCBO | <50 В | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 75 ~ 140 | 125 ~ 250 | 220 ~ 475 |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | <15 мкА | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | ||
Коэффициент шума | NF | (не задано) | <300 мдБ | <300 мдБ |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||