Доход от майнинга

КТ644

КТ644, КТ644А, КТ644Б, КТ644В, КТ644Г

Высокочастотный кремниевый транзистор средней мощности для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях, импульсных и переключающих устройствах

Документы

Описание

КТ644А, КТ644Б, КТ644В, КТ644Г. Кремниевые высоковольтные р-п-р транзисторы средней мощности.

  • Типовое значение граничной частоты передачи тока fГР = 200 МГц
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора РКmax = 1 Вт
  • Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКэmax=60В (КT644A, Б); 40В (КТ644В, Г)

Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126)

Схема расположения выводов (распиновка) и фотография КТ644

Кремниевые высоковольтные планарно-эпитаксиальные р-п-р транзисторы средней мощности КT644A, КT644Б, КТ644В, КТ644Г предназначены для применения в схемах усиления и переключения радиоэлектронной аппаратуры. Размеры кристалла 0,6 х 0,6 мм.

Маркировка транзисторов в соответствии с техническими условиями аА0.336.268 ТУ

Параметры

ПараметрКТ644АКТ644БКТ644ВКТ644Г
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<1 А
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<60 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В<60 В<40 В<40 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
40 ~ 120100 ~ 30040 ~ 120100 ~ 300
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<1 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Коэффициент шума
NF
<400 мдБ
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<12.5 Вт