Доход от майнинга

КТ639

КТ639, КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И

Высокочастотный кремниевый транзистор средней мощности для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях, импульсных и переключающих устройствах

Документы

Описание

КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И. Кремниевые высоковольтные р-п-р транзисторы средней мощности.

  • Типовое значение граничной частоты передачи тока fГР = 80 МГц
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора РКmax = 1 Вт
  • Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭОmax=80В(КT639Е, КТ639Ж); 60В(КТ639Г, КТ639Д); 45В(КT639А, КТ639Б, КТ639В); 30В(КТ639И)
Фотография транзистора КТ639А в корпусе КТ-27-2​ Чертеж корпуса КТ639​

Тип корпуса: ТУ КТ-27-2 (TO-126)

Кремниевые высоковольтные планарно-эпитаксиальные р-п-р транзисторы средней мощности KТ639А, KТ639Б, KТ639В, KТ639Г, KТ639Д, KТ639Е, КТ639Ж, КТ639И предназначены для применения в схемах усиления и переключения радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе КТ-27-2. Допускается использование дополнительного теплоотвода. Конструктивное исполнение позволяет одинаково удобно крепить их к печатной плате или к радиатору. Размеры кристалла 1х1 мм. Маркировка транзисторов в соответствии с техническими условиями аА0.336.267 ТУ.

Параметры

ПараметрКТ639АКТ639БКТ639ВКТ639ГКТ639ДКТ639ЕКТ639ЖКТ639И
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<2 А
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<45 В<45 В<45 В<60 В<60 В<100 В<100 В<30 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<45 В<45 В<45 В<60 В<60 В<100 В<100 В<30 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
40 ~ 10063 ~ 160100 ~ 25040 ~ 10063 ~ 16040 ~ 10063 ~ 160180 ~ 400
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<100 нА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<80 МГц
Коэффициент шума
NF
<500 мдБ
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<12.5 Вт<12.5 Вт<12.5 Вт<12.5 Вт<12.5 Вт(не задано)(не задано)(не задано)