КТ605

КТ605, КТ605А(М), КТ605Б(М)

Высокочастотный кремниевый транзистор средней мощности для работы в импульсных, переключательных и усилительных высокочастотных схемах

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ605А(М)КТ605Б(М)
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<200 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<300 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<250 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<400 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
10 ~ 4030 ~ 120
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<20 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<40 МГц
Коэффициент шума
NF
<8 дБ
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN