КТ603
КТ603, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, КТ603И, 2Т603АОС, 2Т603БОС
Высокочастотный кремниевый транзистор средней мощности для работы в импульсных, переключательных и усилительных высокочастотных схемах
Документы
Описание
Кремниевые эпитаксиально-планарные высокочастотные N-P-N транзисторы типов КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ60ЗГ, КТ60ЗД, КТ60ЗЕ, КТ603И в металлостеклянном корпусе предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах, в цепях вычислительных машин, в генераторах высокой частоты.
- сохранность электрических параметров при длительном воздействии на прибор постоянных и ударных ускорений до 150G;
- устойчивость к воздействию вибрационных ускорений до 15G (длительное воздействие) и 40G (кратковременное воздействие в течение 48 мин.);
- отсутствие механических резонансов и виброустойчивость в диапазоне частот 5-5000 Гц.
Содержание драгоценных металлов
КТ603
Золото: 22,4091 мг или 0,5667 мг
2Т603АОС-2Т603ГОС
Золото: 20,265 мг. (вес транзистора не более 2 грамм).
Параметры
| Параметр | КТ603А | КТ603Б | КТ603В | КТ603Г | КТ603Д | КТ603Е | КТ603И | 2Т603АОС | 2Т603БОС | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <600 мА | <600 мА | <600 мА | <800 мА | <600 мА | <600 мА | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UCBO | <30 В | <30 В | <15 В | <15 В | <10 В | <10 В | <15 В | <15 В | (не задано) |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <30 В | <30 В | <15 В | <15 В | <10 В | <10 В | <15 В | <15 В | (не задано) |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт | ||||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 10 ~ 80 | >60 | 10 ~ 80 | >60 | 20 ~ 80 | 60 ~ 200 | 60 ~ 180 | 60 ~ 180 | (не задано) |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | <10 мкА | <10 мкА | <5 мкА | <5 мкА | <1 мкА | <1 мкА | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | ||||||||
Коэффициент шума | NF | <1 дБ | ||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||||