КТ603

КТ603, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, КТ603И, 2Т603АОС, 2Т603БОС

Высокочастотный кремниевый транзистор средней мощности для работы в импульсных, переключательных и усилительных высокочастотных схемах

Документы

Описание

Кремниевые эпитаксиально-планарные высокочастотные N-P-N транзисторы типов КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ60ЗГ, КТ60ЗД, КТ60ЗЕ, КТ603И в металлостеклянном корпусе предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах, в цепях вычислительных машин, в генераторах высокой частоты.

Схема расположения выводов КТ603, 2Т603

Конструкция транзисторов 2Т603АОС, 2Т603БОС, 2т603ВОС, 2Т603ГОС герметична и обеспечивает:
  • сохранность электрических параметров при длительном воздействии на прибор постоянных и ударных ускорений до 150G;
  • устойчивость к воздействию вибрационных ускорений до 15G (длительное воздействие) и 40G (кратковременное воздействие в течение 48 мин.);
  • отсутствие механических резонансов и виброустойчивость в диапазоне частот 5-5000 Гц.


Содержание драгоценных металлов

КТ603

Золото: 22,4091 мг или 0,5667 мг

2Т603АОС-2Т603ГОС

Золото: 20,265 мг. (вес транзистора не более 2 грамм).

Параметры

ПараметрКТ603АКТ603БКТ603ВКТ603ГКТ603ДКТ603ЕКТ603И2Т603АОС2Т603БОС
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<600 мА<600 мА<600 мА<800 мА<600 мА<600 мА(не задано)(не задано)(не задано)
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<30 В<30 В<15 В<15 В<10 В<10 В<15 В<15 В(не задано)
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<30 В<30 В<15 В<15 В<10 В<10 В<15 В<15 В(не задано)
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<500 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
10 ~ 80>6010 ~ 80>6020 ~ 8060 ~ 20060 ~ 18060 ~ 180(не задано)
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<10 мкА<10 мкА<5 мкА<5 мкА<1 мкА<1 мкА(не задано)(не задано)(не задано)
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Коэффициент шума
NF
<1 дБ
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN