КТ602Б(М)

КТ602, КТ602А(М), КТ602Б(М), КТ602В, КТ602Г

Высокочастотный кремниевый транзистор средней мощности для схем усиления и генерирования сигналов

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ602А(М)КТ602Б(М)КТ602ВКТ602Г
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<500 мА<500 мА<300 мА<300 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<120 В<120 В<80 В<80 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<100 В<100 В<80 В<80 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<850 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
20 ~ 8050 ~ 20015 ~ 80>50
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<70 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<150 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<2.8 Вт