На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | КТ506А | КТ506Б | |
|---|---|---|---|
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <5 А | |
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UCBO | <800 В | <600 В |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <600 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <800 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 30 ~ 150 | |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | <1 мА | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <10 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом | PC-HS | <10 Вт | |