На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | КТ504А | КТ504Б | КТ504В | |
|---|---|---|---|---|
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <2 А | ||
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UCBO | <400 В | <250 В | <300 В |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <350 В | <200 В | <275 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1 Вт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 15 ~ 100 | ||
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | <100 мкА | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <20 МГц | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом | PC-HS | <10 Вт | ||