КТ503

КТ503, КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е

Кремниевый транзистор средней мощности для работы в УНЧ, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах

Документы

Описание

КТ503. Кремниевые эпитаксиально-планарные N-P-N усилительные средней мощности средней частоты транзисторы. Предназначены для применения в ключевых и линейных схемах, узлах и блоках аппаратуры. Чертеж корпуса и схема расположения выводов​

Маркировка

Транзисторы маркируются белой точкой на боковой поверхности корпуса. Дополнительно, группа транзисторов обощначается цветной точкой на торце корпуса:

  • КТ503А: темно-красная
  • КТ503Б: желтая
  • КТ503В: темно-зеленая
  • КТ503Г: голубая
  • КТ503Д: синяя
  • КТ503Е: белая


Содержание драгоценных металлов

Золото: 0,8696 мг

Палладий: 0,00156 мг

Параметры

ПараметрКТ503АКТ503БКТ503ВКТ503ГКТ503ДКТ503Е
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<350 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<40 В<40 В<60 В<60 В<80 В<100 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<25 В<25 В<40 В<40 В<60 В<80 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<350 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
40 ~ 12080 ~ 24040 ~ 12080 ~ 24040 ~ 12040 ~ 120
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<1 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<350 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN