КТ502А

КТ502, КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е

Кремниевый транзистор средней мощности для работы в УНЧ, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ502АКТ502БКТ502ВКТ502ГКТ502ДКТ502Е
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<350 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<40 В<40 В<60 В<60 В<80 В<90 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<25 В<25 В<40 В<40 В<60 В<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<350 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
40 ~ 12080 ~ 24040 ~ 12080 ~ 24040 ~ 12040 ~ 120
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<1 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<350 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP