Доход от майнинга

КТ501

КТ501, КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М

Кремниевый транзистор средней мощности для работы в УНЧ с нормированным коэффициентом шума, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах

Документы

Этикетка КТ501

Описание

Чертеж корпуса и схема расположения выводов (цоколевка) транзистора КТ501

Содержание драгоценных металлов

Золото: 6,180 мг

Параметры

Параметр		КТ501А	КТ501Б	КТ501В	КТ501Г	КТ501Д	КТ501Е	КТ501Ж	КТ501И	КТ501К	КТ501Л	КТ501М
Импульсный ток коллектора транзистора	I_C-i	<500 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_CBO	<15 В	<15 В	<15 В	<30 В	<30 В	<30 В	<45 В	<45 В	<45 В	<60 В	<60 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<15 В	<15 В	<15 В	<30 В	<30 В	<30 В	<45 В	<45 В	<45 В	<60 В	<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<350 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	20 ~ 60	40 ~ 120	80 ~ 240	20 ~ 60	40 ~ 120	80 ~ 240	20 ~ 60	40 ~ 120	80 ~ 240	20 ~ 60	40 ~ 120
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open	I_CB-R	<1 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<5 МГц
Коэффициент шума	N_F	(не задано)	(не задано)	<4 дБ	(не задано)	(не задано)	<4 дБ	(не задано)	(не задано)	<4 дБ	(не задано)	(не задано)
Структура биполярного транзистора	Структура	PNP