КТ501

КТ501, КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М

Кремниевый транзистор средней мощности для работы в УНЧ с нормированным коэффициентом шума, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах

Документы

Описание

Чертеж корпуса и схема расположения выводов (цоколевка) транзистора КТ501​

Содержание драгоценных металлов

Золото: 6,180 мг

Параметры

ПараметрКТ501АКТ501БКТ501ВКТ501ГКТ501ДКТ501ЕКТ501ЖКТ501ИКТ501ККТ501ЛКТ501М
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<500 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<15 В<15 В<15 В<30 В<30 В<30 В<45 В<45 В<45 В<60 В<60 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<15 В<15 В<15 В<30 В<30 В<30 В<45 В<45 В<45 В<60 В<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<350 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
20 ~ 6040 ~ 12080 ~ 24020 ~ 6040 ~ 12080 ~ 24020 ~ 6040 ~ 12080 ~ 24020 ~ 6040 ~ 120
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<1 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<5 МГц
Коэффициент шума
NF
(не задано)(не задано)<4 дБ(не задано)(не задано)<4 дБ(не задано)(не задано)<4 дБ(не задано)(не задано)
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP