КТ363

КТ363, КТ363А(М), КТ363Б(М)

Высокочастотный маломощный кремниевый транзистор для переключения и усиления сигналов высокой и сверхвысокой частот

Документы

Описание

2Т363А, 2Т363Б, КТ363А, КТ363Б, КТ363АМ, КТ363БМ. Высокочастотные р-п-р транзисторы малой мощности.

  • Типовое значение граничной частоты передачи тока fГР = 1,8 ГГц (гр. А, АМ); 2,3 ГГц (гр. Б, БМ)
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора РКmax= 150 мВт (гр. А, Б); 200 мВт (гр. АМ, БМ)
  • Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКэmax=15В (гр. А, АМ); 12В (гр. Б, БМ)

Транзисторы 2T363A, 2T363Б, КТ363А, КТ363Б выпускаются в корпусе КТ-1-7 (TO-18). Транзисторы КТ363АМ, БМ – в корпусе КТ-26 (TO-92)

Схема расположения выводов (распиновка) 2Т363А, 2Т363Б, КТ363А, КТ363Б в крпусе КТ-1-7​ Схема расположения выводов (распиновка) КТ363АМ, КТ363БМ в корпусе КТ-26​

Кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р высокочастотные транзисторы типа 2Т(КТ)363 предназначены для применения в схемах усиления и переключения радиоэлектронной аппаратуры. Транзисторы 2Т363А, 2Т363Б, КТ363А, КТ363Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на боковой поверхности корпуса. Транзисторы КТ363АМ, КТ363БМ выпускаются в пластмассовом корпусе.

Маркировка

На корпусе наносится условная маркировка – две цветные точки: КТ363АМ – две розовые; КТ363БМ – розовая и желтая. Маркировка транзисторов в соответствии с техническими условиями ЩТ0.336.008ТУ и ЩТО.336.014 ТУ. Знаком ОСМ обозначаются изделия повышенной надежности. Размеры кристалла 0,5 х 0,5 мм.

Параметры

ПараметрКТ363А(М)КТ363Б(М)
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<50 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<15 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<15 В<12 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<150 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
20 ~ 12040 ~ 120
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<500 нА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<1 ГГц<1.5 ГГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP