КТ363
КТ363, КТ363А(М), КТ363Б(М)
Высокочастотный маломощный кремниевый транзистор для переключения и усиления сигналов высокой и сверхвысокой частот
Документы
Описание
2Т363А, 2Т363Б, КТ363А, КТ363Б, КТ363АМ, КТ363БМ. Высокочастотные р-п-р транзисторы малой мощности.
- Типовое значение граничной частоты передачи тока fГР = 1,8 ГГц (гр. А, АМ); 2,3 ГГц (гр. Б, БМ)
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора РКmax= 150 мВт (гр. А, Б); 200 мВт (гр. АМ, БМ)
- Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКэmax=15В (гр. А, АМ); 12В (гр. Б, БМ)
Транзисторы 2T363A, 2T363Б, КТ363А, КТ363Б выпускаются в корпусе КТ-1-7 (TO-18). Транзисторы КТ363АМ, БМ – в корпусе КТ-26 (TO-92)
Схема расположения выводов (распиновка) 2Т363А, 2Т363Б, КТ363А, КТ363Б в крпусе КТ-1-7
Схема расположения выводов (распиновка) КТ363АМ, КТ363БМ в корпусе КТ-26
Кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р высокочастотные транзисторы типа 2Т(КТ)363 предназначены для применения в схемах усиления и переключения радиоэлектронной аппаратуры. Транзисторы 2Т363А, 2Т363Б, КТ363А, КТ363Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на боковой поверхности корпуса. Транзисторы КТ363АМ, КТ363БМ выпускаются в пластмассовом корпусе.
Маркировка
На корпусе наносится условная маркировка – две цветные точки: КТ363АМ – две розовые; КТ363БМ – розовая и желтая. Маркировка транзисторов в соответствии с техническими условиями ЩТ0.336.008ТУ и ЩТО.336.014 ТУ. Знаком ОСМ обозначаются изделия повышенной надежности. Размеры кристалла 0,5 х 0,5 мм.
Параметры
| Параметр | КТ363А(М) | КТ363Б(М) | |
|---|---|---|---|
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <50 мА | |
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UCBO | <15 В | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <15 В | <12 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 20 ~ 120 | 40 ~ 120 |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | <500 нА | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <1 ГГц | <1.5 ГГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |