КТ349

КТ349, КТ349А, КТ349Б, КТ349В

Высокочастотный маломощный кремниевый транзистор для работы в переключательных, импульсных и усилительных высокочастотных схемах

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ349АКТ349БКТ349В
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<100 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<20 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<15 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
20 ~ 8040 ~ 160120 ~ 300
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<1 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<300 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP