Доход от майнинга

КТ342

КТ342, КТ342А(М), КТ342Б(М), КТ342В(М), КТ342ГМ, КТ342ДМ

Высокочастотный маломощный кремниевый транзистор для усиления и генерирования сигналов в широком диапазоне частот

Документы

Описание

Схема расположения выводов КТ342​

Содержание драгоценных металлов

Золото: 7,5876 мг

Параметры

ПараметрКТ342А(М)КТ342Б(М)КТ342В(М)КТ342ГМКТ342ДМ
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<300 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<25 В<20 В<10 В<25 В<20 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<30 В<25 В<10 В<30 В<25 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<250 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
100 ~ 250200 ~ 500400 ~ 1000100 ~ 250200 ~ 500
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<50 нА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц<300 МГц<300 МГц<200 МГц<200 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN