КТ339Б

КТ339, КТ339А(М), КТ339Б, КТ339В, КТ339Г, КТ339Д

Высокочастотный маломощный кремниевый транзистор для работы в схемах усиления высокой частоты

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ339А(М)КТ339БКТ339ВКТ339ГКТ339Д
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<40 В<25 В<40 В<40 В<40 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<25 В<15 В<25 В<25 В<25 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<260 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>25>15>25>40>15
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<1 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<300 МГц<250 МГц<450 МГц<250 МГц<250 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN