КТ326

КТ326, КТ326А(М), КТ326Б(М)

Высокочастотный маломощный кремниевый транзистор для применения в схемах усиления высокой и сверхвысокой частоты

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ326А(М)КТ326Б(М)
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<20 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<15 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
20 ~ 7045 ~ 160
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<500 нА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц<400 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP