Доход от майнинга

КТ325

КТ325, КТ325А(М), КТ325Б(М), КТ325В(М)

Высокочастотный маломощный кремниевый транзистор для усиления сигналов высокой частоты

Описание

Фотография транзистора КТ325Б​ Фотография транзистора КТ325В​ Фотография транзистора КТ325В​ Фотография транзистора КТ325В​

Параметры

ПараметрКТ325А(М)КТ325Б(М)КТ325В(М)
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<60 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<15 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<15 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<225 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
30 ~ 9070 ~ 210160 ~ 400
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<500 нА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<800 МГц<800 МГц<1 ГГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN