На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | КТ316А(М) | КТ316Б(М) | КТ316В(М) | КТ316Г(М) | КТ316Д(М) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UCBO | <10 В | ||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <10 В | ||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт | ||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 20 ~ 60 | 40 ~ 120 | 40 ~ 120 | 20 ~ 100 | 60 ~ 300 |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | <500 нА | ||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <600 МГц | <800 МГц | <800 МГц | <600 МГц | <800 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||