КТ3123

КТ3123, КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2

Высокочастотный маломощный кремниевый транзистор с нормированным уровнем шума на частоте 1 ГГц для применения в усилительных, импульсных и ключевых режимах в схемах усилителей и автогенераторов СВЧ-сигналов

Документы

Описание

КТ3123, 2Т3123. СВЧ биполярные р-п-р транзисторы малой мощности с нормированным коэффициентом шума.

  • Коэффициент шума на частоте 1 ГГц - 3 дБ
  • Граничная частота передачи тока не менее - 4 ГГц
  • Типовое значение коэффициента усиления по мощности на частоте 1 ГГц - 10

Бескорпусные транзисторы 2Т3123А-2, 2Т3123Б-2, 2Т3123В-2 и транзисторы КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2 являются кремниевыми эпитаксиально-планарными p-n-p транзисторами малой мощности с нормированным коэффициентом шума, выпускаются на керамическом негерметизированном держателе, размеры которого соответствуют корпусу КТ-22-2 по ГОСТ 18472-88, предназначены для применения в линейных, импульсных и ключевых режимах в гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках аппаратуры, имеющей герметичные корпуса. Транзисторы КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ выполнены в пластмассовом корпусе КТ-29 и используются в аппаратуре, не требующей герметичных корпусов.

Маркировка

На корпусах наносится условная маркировка - точки:

  • Группы А, AM – розового цвета,
  • Группа Б - белого,
  • Группа БM - желтого,
  • Группы В, BM – синего.

Схема расположения выводов (распиновка) КТ3123 в корпусе КТ-22-2​ Схема расположения выводов (распиновка) КТ3123 в корпусе КТ-29​

Параметры

ПараметрКТ3123А-2КТ3123Б-2КТ3123В-2
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<50 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<15 В<15 В<10 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<15 В<15 В<10 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<150 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>40
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<10 нА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<5 ГГц
Коэффициент шума
NF
<2.4 дБ<3 дБ<2.4 дБ
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP