Доход от майнинга

КТ312Б

КТ312, КТ312А, КТ312Б, КТ312В

Низкочастотный маломощный кремниевый транзистор для работы в усилительных, переключательных и генераторных устройствах

Документы

Описание

КТ312, 2Т312 – кремниевые эпитаксиально-планарные N-P-N транзисторы в металоостеклянном корпусе. Предназначены для работы в аппаратуре специального назначения.

Схема расположения выводов КТ312​ Фотография КТ312​ КТ312Б в упаковке​

Содержание драгоценных и цветных металлов

Золото: 10,706 мг

Параметры

ПараметрКТ312АКТ312БКТ312В
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<60 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<20 В<35 В<20 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<20 В<35 В<20 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<225 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
10 ~ 10025 ~ 10050 ~ 280
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<10 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<280 МГц<120 МГц<120 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN