КТ3117Б
КТ3117, КТ3117А(1), КТ3117Б
Маломощный кремниевый высокочастотный переключательный транзистор
Документы
Описание
КТ3117А, КТ3117Б. Кремниевые эпитаксиально-планарные N-P-N импульсные транзисторы в металлостеклянном корпусе. Предназначены для работы в оперативных и постоянных запоминающих устройствах и другой радиотехнической аппаратуре широкого применения.
Расположение выводов КТ3117
Содержание драгоценных и цветных металлов
Золото: 7,8815 мг
Никель НП-2: 0,125 г
Параметры
| Параметр | КТ3117А(1) | КТ3117Б | |
|---|---|---|---|
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <800 мА | |
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UCBO | <60 В | <75 В |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <60 В | <75 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 40 ~ 200 | 100 ~ 300 |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | <10 мкА | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |