КТ3117

КТ3117, КТ3117А(1), КТ3117Б

Маломощный кремниевый высокочастотный переключательный транзистор

Документы

Описание

КТ3117А, КТ3117Б. Кремниевые эпитаксиально-планарные N-P-N импульсные транзисторы в металлостеклянном корпусе. Предназначены для работы в оперативных и постоянных запоминающих устройствах и другой радиотехнической аппаратуре широкого применения.

Расположение выводов КТ3117​

Содержание драгоценных и цветных металлов

Золото: 7,8815 мг

Никель НП-2: 0,125 г

Параметры

ПараметрКТ3117А(1)КТ3117Б
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<800 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<60 В<75 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В<75 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<300 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
40 ~ 200100 ~ 300
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<10 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN