КТ3115В-2
КТ3115, КТ3115А-2, КТ3115В-2, КТ3115Г-2
На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Описание
Параметры
| Параметр | КТ3115А-2 | КТ3115В-2 | КТ3115Г-2 | |
|---|---|---|---|---|
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UCBO | <10 В | <10 В | <7 В |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <10 В | <10 В | <7 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <70 мВт | <70 мВт | <50 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >15 | ||
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | <500 нА | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <5.8 ГГц | ||
Коэффициент шума | NF | <5 дБ | <6 дБ | <4 дБ |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||