КТ3109

КТ3109, КТ3109А, КТ3109Б, КТ3109В

Высокочастотный маломощный кремниевый транзистор с нормированным уровнем шума на частоте 800 МГц для применения в селекторах телевизионных каналов метрового и дециметрового диапазонов длин волн и в другой приемно-усилительной аппаратуре

Документы

Описание

КТ3109А, 2Т3109Б, 2Т3109В, 2Т3109А1, 2Т3109Б1, 2Т3109В1. Высокочастотные малошумящие биполярные р-п-р транзисторы малой мощности.

  • Типовое значение граничной частоты передачи тока fТ =1400 МГц
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора РКmax= 170 мВт
  • Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭmax=25 В
  • Типовое значение коэффициента шума на частоте 800 МГц КШ=7 дБ

Кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р высокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 800 МГц транзисторы КT3109 предназначены для применения в видеоусилителях, малошумящих усилителях, селекторах каналов метрового и дециметрового диапазона другой и различной приемо-усилительной аппаратуре.

Расположение выводов (распиновка) КТ3109А1-В1 в корпусе КТ-26​ Расположение выводов (распиновка) КТ3109А-В в корпусе КТ-29​ КT3109A, Б, В выпускаются в корпусе КТ-29 (ТО-50). КТ3109А1, Б1, В1 в корпусе КТ-26 (ТО-92).


Маркировка

Маркировка транзисторов в соответствии с техническими условиями аА0.336.220 ТУ: цифробуквенная маркировка с указанием типономинала без индекса «КТ» - на корпус наносится последняя цифра обозначения транзистора и группа (например: КТ3109А1 - 9А1), год и месяц изготовления транзисторов. Допускается маркировка цветовым кодом (точкой):

  • КТ3109А, КТ3109А1 – розовая точка,
  • КТ3109Б, КТ3109Б1 – желтая точка,
  • КТ3109В, КТ3109В1 – синяя точка.
Допускается группу КТ3109А, КТ3109А1 не маркировать.

Размеры кристалла 0,5 х 0,5 мм.

Содержание драгоценных металлов

Золото: 1,1476 мг (КТ3109А, Б, В)

Параметры

ПараметрКТ3109АКТ3109БКТ3109В
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<30 В<25 В<25 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<25 В<20 В<20 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<170 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>20>20>15
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<100 нА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<800 МГц<300 МГц<600 МГц
Коэффициент шума
NF
<6 дБ<7 дБ<8 дБ
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP