КТ3102 &dashl широко распространенный советский усилительный малошумящий маломощный транзистор структуры N-P-N. Комплементарная пара к транзистору КТ3107.
Схема расположения выводов КТ3102А-КТ3102Е в пластиковом корпусе Схема расположения выводов КТ3102АМ-КТ3102КМ в металлическом корпусеЗолото: 7,5876 мг
Параметр | КТ3102А(М) | КТ3102Б(М) | КТ3102В(М) | КТ3102Г(М) | КТ3102Д(М) | КТ3102Е(М) | КТ3102Ж(М) | КТ3102И(М) | КТ3102К(М) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <200 мА | ||||||||
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UCBO | <50 В | <50 В | <30 В | <20 В | <30 В | <20 В | <20 В | <20 В | <20 В |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | <50 В | <30 В | <20 В | <30 В | <20 В | <20 В | <20 В | <20 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | ||||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 100 ~ 200 | 200 ~ 500 | 200 ~ 500 | 400 ~ 1000 | 200 ~ 500 | 400 ~ 1000 | 100 ~ 250 | 200 ~ 500 | 200 ~ 500 |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | <50 нА | <50 нА | <15 нА | <15 нА | <15 нА | <15 нА | <50 нА | <50 нА | <15 нА |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <150 МГц | ||||||||
Коэффициент шума | NF | <10 дБ | <10 дБ | <10 дБ | <10 дБ | <4 дБ | <4 дБ | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |