КТ3102

КТ3102, КТ3102А(М), КТ3102Б(М), КТ3102В(М), КТ3102Г(М), КТ3102Д(М), КТ3102Е(М), КТ3102Ж(М), КТ3102И(М), КТ3102К(М)

Высокочастотный маломощный кремниевый транзистор с нормированным уровнем шума на частоте 1 кГц для работы в усилительных и генераторных ВЧ схемах, допускается работа в инверсном режиме

Документы

Описание

КТ3102 &dashl широко распространенный советский усилительный малошумящий маломощный транзистор структуры N-P-N. Комплементарная пара к транзистору КТ3107.

Схема расположения выводов КТ3102А-КТ3102Е в пластиковом корпусе​ Схема расположения выводов КТ3102АМ-КТ3102КМ в металлическом корпусе​

Содержание драгоценных металлов

Золото: 7,5876 мг

Параметры

ПараметрКТ3102А(М)КТ3102Б(М)КТ3102В(М)КТ3102Г(М)КТ3102Д(М)КТ3102Е(М)КТ3102Ж(М)КТ3102И(М)КТ3102К(М)
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<200 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<50 В<50 В<30 В<20 В<30 В<20 В<20 В<20 В<20 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В<50 В<30 В<20 В<30 В<20 В<20 В<20 В<20 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<250 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
100 ~ 200200 ~ 500200 ~ 500400 ~ 1000200 ~ 500400 ~ 1000100 ~ 250200 ~ 500200 ~ 500
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<50 нА<50 нА<15 нА<15 нА<15 нА<15 нА<50 нА<50 нА<15 нА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<150 МГц
Коэффициент шума
NF
<10 дБ<10 дБ<10 дБ<10 дБ<4 дБ<4 дБ(не задано)(не задано)(не задано)
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN