Доход от майнинга

КТ209

КТ209, КТ209А, КТ209Б, КТ209Б1, КТ209В, КТ209В1, КТ209В2, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М

Маломощный кремниевый транзистор для работы в усилительных и импульсных устройствах

Документы

Описание


Содержание драгоценных металлов

Золото: 0,9754 мг

Параметры

ПараметрКТ209АКТ209БКТ209Б1КТ209ВКТ209В1КТ209В2КТ209ГКТ209ДКТ209ЕКТ209ЖКТ209ИКТ209ККТ209ЛКТ209М
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<500 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<15 В<15 В<15 В<15 В<15 В<15 В<30 В<30 В<30 В<45 В<45 В<45 В<60 В<60 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<15 В<15 В<15 В<15 В<15 В<15 В<30 В<30 В<30 В<45 В<45 В<45 В<60 В<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
20 ~ 6040 ~ 120>1280 ~ 240>30>20020 ~ 6040 ~ 12080 ~ 24020 ~ 6040 ~ 12080 ~ 16020 ~ 6040 ~ 120
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<1 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<5 МГц
Коэффициент шума
NF
(не задано)(не задано)(не задано)<5 дБ<5 дБ<5 дБ(не задано)(не задано)<5 дБ(не задано)(не задано)<5 дБ(не задано)(не задано)
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP