Доход от майнинга

КТ208

КТ208, КТ208А(1), КТ208Б(1), КТ208В(1), КТ208Г(1), КТ208Д(1), КТ208Е(1), КТ208Ж(1), КТ208И(1), КТ208К(1), КТ208Л(1), КТ208М(1)

Маломощный кремниевый транзистор для работы в усилительных и генераторных устройствах

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ208А(1)КТ208Б(1)КТ208В(1)КТ208Г(1)КТ208Д(1)КТ208Е(1)КТ208Ж(1)КТ208И(1)КТ208К(1)КТ208Л(1)КТ208М(1)
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<500 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<20 В<20 В<20 В<30 В<30 В<30 В<45 В<45 В<45 В<60 В<60 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<20 В<20 В<20 В<30 В<30 В<30 В<45 В<45 В<45 В<60 В<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
20 ~ 6040 ~ 12080 ~ 24020 ~ 6040 ~ 12080 ~ 24020 ~ 6040 ~ 12080 ~ 24020 ~ 6040 ~ 120
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<1 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<5 МГц
Коэффициент шума
NF
(не задано)(не задано)<4 дБ(не задано)(не задано)<4 дБ(не задано)(не задано)<4 дБ(не задано)(не задано)
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP