Доход от майнинга

КТ201Б(М)

КТ201, КТ201А(М), КТ201Б(М), КТ201В(М), КТ201Г(М), КТ201Д(М)

Маломощный кремниевый транзистор для усиления сигналов низкой частоты

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрКТ201А(М)КТ201Б(М)КТ201В(М)КТ201Г(М)КТ201Д(М)
Импульсный ток коллектора транзистора
IC-i
<100 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<20 В<20 В<10 В<10 В<10 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<20 В<20 В<10 В<10 В<10 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<150 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
20 ~ 6030 ~ 9030 ~ 9070 ~ 21030 ~ 90
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<1 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<10 МГц
Коэффициент шума
NF
(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<15 дБ
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN