Доход от майнинга

ГТ906А(М)

ГТ906, ГТ906А(М)

Высокочастотный германиевый транзистор большой мощности для применения в преобразователях напряжения, переключающих и других импульсных каскадах

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрГТ906А(М)
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<75 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<75 В
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
30 ~ 150
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<8 мА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<30 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<15 Вт