На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Параметр | ГТ906А(М) | |
---|---|---|
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UCBO | <75 В |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <75 В |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 30 ~ 150 |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | <8 мА |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <30 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP |
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом | PC-HS | <15 Вт |