1Т813Б
1Т813, 1Т813А, 1Т813Б, 1Т813В
Германиевый транзистор большой мощности для работы в схемах переключающих устройств
На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Описание
Параметры
| Параметр | 1Т813А | 1Т813Б | 1Т813В | |
|---|---|---|---|---|
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <40 А | ||
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UCBO | <100 В | <125 В | <150 В |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <100 В | <125 В | <150 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1.5 Вт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 10 ~ 60 | ||
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | <16 мА | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <5 МГц | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом | PC-HS | <50 Вт | ||