ГТ806

ГТ806, ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д

Германиевый транзистор большой мощности для работы в импульсных схемах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения

Документы

Описание

Содержание драгоценных металлов

Золото: 0,2014 мг

Серебро: 91,7674 мг

Параметры

ПараметрГТ806АГТ806БГТ806ВГТ806ГГТ806Д
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<75 В<100 В<120 В<50 В<140 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<75 В<100 В<120 В<50 В<140 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<2 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
10 ~ 100
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<15 мА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<10 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Мощность на коллекторе транзистора с теплоотводом
PC-HS
<30 Вт