ГТ313

ГТ313, ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В

Высокочастотный маломощный германиевый транзистор для усиления сигналов высокой и сверхвысокой частот

Документы

Описание

ГТ313 – германиевые N-P-N транзисторы.

Чертеж корпуса и расположение выводов (цоколевка) ГТ313​

Параметры

ПараметрГТ313АГТ313БГТ313В
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UCBO
<15 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<15 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<100 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
20 ~ 25020 ~ 25030 ~ 170
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open
ICB-R
<5 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<300 МГц<450 МГц<350 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP