Біполярні транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 18470 компонентів
ЗображенняІм'яICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
<50 мА
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<15 В
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
>208mA, 10V
>208mA, 10V
>208mA, 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.5 ГГц
1.5 ГГц
1.5 ГГц
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<50 мА
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
 
 
<12 В
<12 В
<12 В
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
>253mA, 1V
>253mA, 1V
>253mA, 1V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2 ГГц
2 ГГц
2 ГГц
 
 
 
5 дБ200MHz
5 дБ200MHz
5 дБ200MHz
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<15 В
<15 В
<350 мВт
<350 мВт
 
 
>203mA, 1V
>203mA, 1V
 
 
 
 
 
 
600 МГц
600 МГц
 
 
6 дБ60MHz
6 дБ60MHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<10 В
<10 В
<250 мВт
<250 мВт
 
 
>505mA, 6V
>505mA, 6V
 
 
 
 
 
 
8.5 ГГц
8.5 ГГц
 
 
1.5 дБ ~ 2.1 дБ1GHz ~ 2GHz
1.5 дБ ~ 2.1 дБ1GHz ~ 2GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-3, SOT-323-3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<50 мА
<50 мА
 
 
 
 
<10 В
<10 В
<150 мВт
<150 мВт
 
 
>1005mA, 6V
>1005mA, 6V
 
 
 
 
 
 
9 ГГц
9 ГГц
 
 
1.5 дБ ~ 2.5 дБ1GHz
1.5 дБ ~ 2.5 дБ1GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
EMT3 (SOT-416, SC-75-3)
EMT3 (SOT-416, SC-75-3)
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<10 В
<10 В
<270 мВт
<270 мВт
 
 
>505mA, 6V
>505mA, 6V
 
 
 
 
 
 
8 ГГц
8 ГГц
 
 
1.3 дБ ~ 1.8 дБ1GHz ~ 2GHz
1.3 дБ ~ 1.8 дБ1GHz ~ 2GHz
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-3, SOT-323-3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<21 А
<21 А
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<570 Вт
<570 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.4 ГГц
1.4 ГГц
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
SOT-439A
SOT-439A
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
<8 А
<8 А
 
 
 
 
<16 В
<16 В
<70 Вт
<70 Вт
 
 
>20250mA, 5V
>20250mA, 5V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
M113
M113
STMicroelectronics
STMicroelectronics
<8 А
<8 А
 
 
 
 
<16 В
<16 В
<70 Вт
<70 Вт
 
 
>20250mA, 5V
>20250mA, 5V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
M113
M113
STMicroelectronics
STMicroelectronics
<20 А
 
 
<18 В
<270 Вт
 
>205A, 5V
 
 
 
 
 
NPN
 
 
 
 
 
 
 
Поверхневий
M174
STMicroelectronics